问题分析：
      用户可以自定义flash烧写算法，并把它们集成到MDK-ARM中国版中。这些在MDK-ARM中国版的用户手册中有详细的介绍。
      操作步骤：
      定义一个新的Flash编程算法可以通过如下步骤配置一个新的Flash编程算法：
      1.在..\ARM\Flash下新建一个空的子文件夹。
      2.将已存在的某个Flash算法(如 ..\ARM\Flash\LPC_IAP_256)的内容拷贝到这个新文件中并将此算法作为新算法的模板。
      3.重命名工程文件LPC_IAP_256.UV2以表示新的Flash ROM设备名,如29F400.UV2并用μVision IDE将其打开。
      4.在对话框Project - Options for Target - Output 中将所有的输出文件名(如 LPC_IAP_256)替换为新的设备名。
      5.编辑FlashPrg.C文件并为EraseChip, EraseBlock及ProgramBlock定义函数代码.在函数Init和UnInit中编写算法所需的initializations和de-initialization代码。
      6.在文件FlashDev.C中的struct FlashDevice中定义设备参数。
      7.编译新的Flash编程算法.扩展名为*.FLX的输出文件包含新的编程算法，使用Configure Flash Download 中的Add按钮可将此编程算法文件添加到目标应用中的μVision工程中。
      8.测试一个新的Flash编程算法： 在文件夹..\ARM\Flash\LPC_IAP_256\Test 下包含一个工程，它可以测试一个新的Flash编程算法。
      注意：新的Flash编程算法的生成需要RVCT的编译工具编译,例如可以用ADS，MDK-ARM中国版或者RVDS 编译.使用GNU工具链不可能生成自己的Flash编程算法，然而，可以使用已存在的Flash编程算法。